Leave Your Message
સમાચાર શ્રેણીઓ
ફીચર્ડ સમાચાર

સમાચાર

ઉચ્ચ-કાર્યક્ષમતા MOSFET ટોચના ગરમીના વિસર્જન પેકેજની વિગતવાર સમજૂતી

ઉચ્ચ-કાર્યક્ષમતા MOSFET ટોચના ગરમીના વિસર્જન પેકેજની વિગતવાર સમજૂતી

૨૦૨૪-૧૨-૧૬

પાવર એપ્લિકેશન્સમાં વપરાતા મોટાભાગના MOSFETs સરફેસ માઉન્ટ ડિવાઇસ (SMD) છે, જેમાં SO8FL, u8FL, અને LFPAK જેવા પેકેજોનો સમાવેશ થાય છે. આ SMDs સામાન્ય રીતે પસંદ કરવામાં આવે છે તેનું કારણ એ છે કે તેમની પાસે સારી પાવર ક્ષમતા અને નાનું કદ છે, જે વધુ કોમ્પેક્ટ સોલ્યુશન્સ પ્રાપ્ત કરવામાં મદદ કરે છે. જોકે આ ઉપકરણોમાં સારી પાવર ક્ષમતાઓ હોય છે, ક્યારેક ગરમીનું વિસર્જન અસર આદર્શ હોતી નથી.

વિગતવાર જુઓ
એક લેખમાં સ્વિચ મોડ પાવર સપ્લાયની ટોપોલોજી સમજાવો.

એક લેખમાં સ્વિચ મોડ પાવર સપ્લાયની ટોપોલોજી સમજાવો.

૨૦૨૪-૧૨-૧૬

સર્કિટ ટોપોલોજી એ સર્કિટમાં પાવર ડિવાઇસ અને ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક ઘટકો વચ્ચેના જોડાણનો ઉલ્લેખ કરે છે, જ્યારે ચુંબકીય ઘટકો, બંધ-લૂપ વળતર સર્કિટ અને અન્ય તમામ સર્કિટ ઘટકોની ડિઝાઇન ટોપોલોજી પર આધાર રાખે છે. સૌથી મૂળભૂત ટોપોલોજીઓમાં બક, બૂસ્ટ અને બક/બૂસ્ટ, સિંગલ એન્ડેડ ફ્લાયબેક (આઇસોલેટેડ ફ્લાયબેક), ફોરવર્ડ, પુશ-પુલ, હાફ બ્રિજ અને ફુલ બ્રિજ કન્વર્ટરનો સમાવેશ થાય છે.

વિગતવાર જુઓ
SiC પાવર ડિવાઇસીસમાં SiC SBD

SiC પાવર ડિવાઇસીસમાં SiC SBD

૨૦૨૪-૧૨-૧૬

ઉચ્ચ-આવર્તન ઉપકરણોના SBD (સ્કોટ્કી બેરિયર ડાયોડ) માળખામાં 600V થી ઉપરના ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ ડાયોડ મેળવવા માટે SiC નો ઉપયોગ કરી શકાય છે (Si ના SBD નો સૌથી વધુ વોલ્ટેજ પ્રતિકાર 200V ની આસપાસ છે).

વિગતવાર જુઓ